設備型號：ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/M

光學系統：

1.         曝光時間調解器：0.1至999.9秒(可調節精度0.1s)

2.         365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環；

3.         聲控功率警報裝置可防止系統功率超過設定指標；

4.         有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；

5.         全景準直透鏡光線偏差半角: <1.84度；

6.         波長濾片檢查及安裝裝置

7.         抗衍射反射功能高效反光鏡；

8.         二向色的防熱透鏡裝置；

9.         防汞燈泄漏裝置；

10.     配備蠅眼棱鏡裝置

11.     配備近紫外（或深紫外）光源，

    --220 nm 輸出強度 – 大約 8-10 mW/ cm2

    --254 nm 輸出強度 – 大約 12-14 mW/ cm2

    --365 nm 輸出強度 – 大約 18-20 mW/ cm2

--400 nm 輸出強度 – 大約 30-35 mW/ cm2

主要配置：

1.  6“，8”光源系統

  2.  可支持2“，3”，4“，6”，8“（圓/方片）及碎片光刻 

  3.  手動系統，半自動系統

  4.  支持電源350-2000 Watt

  5.  支持深紫外近紫外波長（可選項）

  6.  支持背后對準及MEMS工藝要求

  7.  CCD或顯微鏡對準系統

主要性能指標：

 1.  光強均勻性Beam Uniformity:：

    --<±1% over 2” 區域

    --<±2% over 4” 區域

    --<±3% over 6” 區域

 2.  接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um

 3.  接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um

4.  支持接近式曝光，特征尺寸CD：

    --0.8um  硬接觸

    --1um    20um 間距時

    --2um    50um 間距時

 5.  正面對準精度 ± 0.5um

 6.  背面對準精度±1um--±2um（Depends on user）

 7.  支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um

 8.  支持LED優異電流控制技術PSS工藝光刻

 9.  支持真空、接近式、接觸式曝光

 10. 支持恒定光強或恒定功率模式