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            美國ABM雙面對準光刻機

            發布時間:2015-12-14      來源:      作者:管理員      閱讀次數:      字體:      
            設備型號:ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/M 光學系統: 1.曝光時間調解器:0.1至999.9秒(可調節精度0.1s) 2.365-400nm光強傳感及電源供應控制電路...

            設備型號ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/M

            光學系統:

             

            1.         曝光時間調解器:0.1至999.9秒(可調節精度0.1s)

            2.         365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環;

            3.         聲控功率警報裝置可防止系統功率超過設定指標;

            4.         有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器;

            5.         全景準直透鏡光線偏差半角: <1.84度;

            6.         波長濾片檢查及安裝裝置

            7.         抗衍射反射功能高效反光鏡;

            8.         二向色的防熱透鏡裝置;

            9.         防汞燈泄漏裝置;

            10.     配備蠅眼棱鏡裝置

            11.     配備近紫外(或深紫外)光源,

                --220 nm 輸出強度 – 大約 8-10 mW/ cm2

                --254 nm 輸出強度 – 大約 12-14 mW/ cm2

                --365 nm 輸出強度 – 大約 18-20 mW/ cm2

            --400 nm 輸出強度 – 大約 30-35 mW/ cm2

            主要配置:

            1.  6“,8”光源系統

              2.  可支持2“,3”,4“,6”,8“(圓/方片)及碎片光刻 

              3.  手動系統,半自動系統

              4.  支持電源350-2000 Watt

              5.  支持深紫外近紫外波長(可選項)

              6.  支持背后對準及MEMS工藝要求

              7.  CCD或顯微鏡對準系統

            主要性能指標:

             1.  光強均勻性Beam Uniformity::

                --<±1% over 2” 區域

                --<±2% over 4” 區域

                --<±3% over 6” 區域

             2.  接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV):0.5 um

             3.  接觸式樣曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um

            4.  支持接近式曝光,特征尺寸CD:

                --0.8um  硬接觸

                --1um    20um 間距時

                --2um    50um 間距時

             5.  正面對準精度 ± 0.5um

             6.  背面對準精度±1um--±2um(Depends on user)

             7.  支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻,特征尺寸:100um-300um

             8.  支持LED優異電流控制技術PSS工藝光刻

             9.  支持真空、接近式、接觸式曝光

             10. 支持恒定光強或恒定功率模式

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