美國ABM光刻機

ABM光刻機公司成立于1986年，總部位于美國硅谷San Jose。主要經營光罩對準曝光機(光刻機)，單獨曝光系統，光強儀/探針。公司的主要市場在美國和亞洲。

截止到2010年3月，ABM公司在世界范圍售出了800多臺光刻機，50多臺單獨曝光系統。在美國擁有眾多客戶，最著名的客戶是美國NASA和INTEL，ABM光刻機在臺灣銷量第一，超過半數的大學、研究所和部分工廠使用ABM的光刻機。

 ABM光刻機在中國銷售超過150臺，擁有眾多的不同類型的客戶，包括：國家重點實驗室、各領域研究所、知名大學和為數眾多的工廠，設備用于生產和研發，ABM光刻機愿以其優越的性能和有競爭力的價格為中國半導體市場提供了優良的產品和良好的服務。

美國ABM正面對準光刻機

型號：ABM/6/350/NUV/DCCD/M
光學系統：

   曝光時間調解器：0.1至999.9秒(可調節精度0.1s)
   365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環；
   聲控功率警報裝置可防止系統功率超過設定指標；
   有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；
   全景準直透鏡光線偏差半角: <1.84度；
   波長濾片檢查及安裝裝置
   抗衍射反射功能高效反光鏡；
   二向色的防熱透鏡裝置；
   防汞燈泄漏裝置；
   配備蠅眼棱鏡裝置
   配備近紫外光源，
    --220 nm 輸出強度 – 大約 8-10 mW/ cm2
    --254 nm 輸出強度 – 大約 12-14 mW/ cm2
    --365 nm 輸出強度 – 大約 18-20 mW/ cm2
    --400 nm 輸出強度 – 大約 30-35 mW/ cm2

主要配置：

   6“，8”光源系統  
   可支持2“，3”，4“，6”，8“（圓/方片）及碎片光刻（支持特殊工藝卡盤設計）
   手動系統，半自動系統, 
   支持電源350-2000 Watt 
   支持深紫外近紫外波長（可選項）
   CCD或顯微鏡對準系統 
 


主要性能指標：

   光強均勻性Beam Uniformity:：
    --<±1% over 2” 區域 
    --<±2% over 4” 區域 
    --<±3% over 6” 區域
   接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
   接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：  0.5  um
   支持接近式曝光，特征尺寸CD：
    --0.8um  硬接觸
    --1um    20 um 間距時
    --2um    50um 間距時
   正面對準精度±0.5um
   支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um
   支持LED優異電流控制技術PSS工藝光刻
   支持真空、接近式、接觸式曝光
   支持恒定光強或恒定功率模式